Ti O2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/Ti O2异质结薄膜光电化学性能的影响

• 作者: 张爱琴 张芮境 王羿 申倩倩 薛晋波 贾虎生 赵斌
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: CdSe/TiO2异质结 退火温度 光电化学性能 相转变
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 90-96
• 页数: 7页
• 分类号: TM914
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2017.000057

摘要

通过电化学沉积法以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底制备CdSe/TiO2异质结薄膜.研究TiO2纳米管阵列基底不同退火温度(200,350,450,600℃)对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响.采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征.结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管阵列管口及管壁上.TiO2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零.随着退火温度升高到350℃,TiO2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高.退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm2.当退火温度达到600℃时,TiO2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降.