SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

• 作者: 刘航志 周郁明 杨婷婷 陈兆权
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC JFET SiC MOSFET 失效 迁移率 泄漏电流 短路
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 726-733
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 5541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.03.030

摘要

建立了两种碳化硅(SiC)器件JFET和MOSFET的失效模型.失效模型是在传统的电路模型的基础上引入了额外附加的泄漏电流,其中,SiC JFET是在漏源极引入了泄漏电流,SiC MOSFET是在漏源极和栅极引入了泄漏电流;同时,为了体现温度和电场强度与失效的关系,用与温度和电场强度相关的沟道载流子迁移率代替了传统电路模型所采用的常数迁移率.有关文献的实验结果和半导体器件的计算机模拟(Technology Computer Aided Design,TCAD)验证了两种SiC器件失效模型的准确性.所建立的失效模型能够对比SiC JFET和SiC MOSFET的短路特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周郁明	安徽工业大学电力电子与运动控制安徽省重点实验室	15	19	2.0	3.0
2	陈兆权	安徽工业大学电力电子与运动控制安徽省重点实验室	10	13	2.0	3.0
3	刘航志	安徽工业大学电力电子与运动控制安徽省重点实验室	6	10	2.0	3.0
4	杨婷婷	安徽工业大学电力电子与运动控制安徽省重点实验室	4	8	2.0	2.0