铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

• 作者: 于峰涛 宋红伟 武艳青 赵永林 赵润
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: P型 InGaAs 界面空洞 合金温度 扩散 膜层厚度
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 4149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0809

摘要

对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析.采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加.金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关.通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵润	中国电子科技集团公司第十三研究所	18	45	5.0	5.0
2	赵永林	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	39	3.0	5.0
3	宋红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0
4	武艳青	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0
5	于峰涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0