压接型IGBT均流设计

• 作者: 刘国友 王彦刚 窦泽春 罗海辉 覃荣震
• 来源期刊: 中国电力
• 学科: 工学
• 关键词: 均流 压接型 IGBT 设计
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件可靠性专栏
• 页码范围: 20-29
• 页数: 10页
• 分类号: TN303
• 字数: 5028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11930/j.issn.1004-9649.201907122

摘要

针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计.试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好.