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KH-SiO2/PES/BMI-F51复合材料的介电性能
KH-SiO2/PES/BMI-F51复合材料的介电性能
作者:
岳春艳
柴铭茁
耿成宝
郭红缘
陈宇飞
原文服务方:
材料工程
双马来酰亚胺
酚醛环氧
聚醚砜
二氧化硅
介电性能
摘要:
采用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-560)修饰纳米二氧化硅(nano-SiO2)获得改性纳米二氧化硅(KH-SiO2).以酚醛环氧树脂(F51)和双马来酰亚胺(BMI)作为基体,添加4%(质量分数,下同)聚醚砜(PES)和不同含量(0.5% ~2.5%)的KH-SiO2,制备KH-SiO2/PES/BMI-F51多相复合材料.红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜结果表明:纳米SiO2表面修饰效果良好,纳米粒子团聚倾向减弱,粒径减小,比表面积增大.介电性能测试结果表明:随着K H-SiO2掺杂量的增加,材料的介电常数先降低后升高,介电损耗没有明显变化,体积电阻率和击穿强度先升高后降低.当KH-SiO2掺杂量为1.5% 时,10Hz下介电常数和介电损耗角正切分别为4.55和0.0029,体积电阻率和击穿强度分别为1.74×1014Ω·m和29.11kV/mm,比树脂基体提高了68.9% 和35.9%.
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文献信息
篇名
KH-SiO2/PES/BMI-F51复合材料的介电性能
来源期刊
材料工程
学科
关键词
双马来酰亚胺
酚醛环氧
聚醚砜
二氧化硅
介电性能
年,卷(期)
2019,(8)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
103-109
页数
7页
分类号
TB332
字数
语种
中文
DOI
10.11868/j.issn.1001-4381.2018.001048
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈宇飞
哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
50
149
7.0
9.0
5
耿成宝
哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
8
7
2.0
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6
郭红缘
哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
10
10
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7
岳春艳
哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
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柴铭茁
哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
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酚醛环氧
聚醚砜
二氧化硅
介电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料工程
主办单位:
中国航发北京航空材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4381
CN:
11-1800/TB
开本:
大16开
出版地:
北京81信箱-44分箱
邮发代号:
创刊时间:
1956-05-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
5589
总下载数(次)
0
总被引数(次)
57091
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