液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布

• 作者: 刘惠生 孙同年 孙士文 孙聂枫 杨瑞霞 王书杰 王昊宇 田树盛 陈春梅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟(InP) 晶体生长 化合物半导体 非配比熔体 铟夹杂
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 358-363
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.23|TN304.053
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.05.004

摘要

采用光学显微镜与红外透射显微镜相结合的方法,研究了磷化铟(InP)晶片中铟夹杂的形貌,通过比较含有铟夹杂的晶体与晶片,总结了铟夹杂在富铟磷化铟中的纵向与横向分布行为,并分析了熔体组分配比度、固液界面形貌以及温度梯度对铟夹杂分布行为的影响.在含有铟夹杂的单晶片中发现铟夹杂的一种特殊环形分布行为,对比和它相邻的晶片,发现这种环形分布呈现出沿生长方向直径逐渐变小的趋势,初步分析与固液界面呈微凸的形貌有关.在这种特殊分布中,发现部分铟夹杂呈四方对称分布.结合磷化铟的晶体结构,分析这种对称分布与固液界面处的｛111}晶面有关.