硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量

• 作者: 李成 王尘 许怡红 陈松岩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅缓冲层 锗(Ge) 选区外延生长 超高真空化学气相沉积 退火
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 297-301
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.010

摘要

研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响.利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌.测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9× 105/cm2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低.通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	李成	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
3	王尘	厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室	4	3	1.0	1.0
4	许怡红	厦门工学院电子与电气工程学院	3	3	1.0	1.0