不同工艺下TaN薄膜中残余应力的研究

• 作者: 杨高峰
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: TaN薄膜 残余应力 物理气相沉积 相分析
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 34-43
• 页数: 10页
• 分类号: TQ174.75+8.29
• 字数: 8448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2019.08.006

摘要

笔者以TaN薄膜中的残余应力为主要研究对象,分别从实验和理论上对薄膜中的残余应力进行了分析.所研究TaN薄膜由物理气相沉积的方法制得,制备过程中以不同参数为变量,如反应气体流量、基体温度、功率、工作压力等.使用扫描电镜观察了薄膜的组织形貌,用能谱仪测量了薄膜的成分,用X射线衍射仪标定了薄膜的相结构,用X射线应力测量仪测量了薄膜在不同工艺下的残余应力,并从量子力学角度分析了残余应力产生的原因.实验结果表明:随着氮气流量的增加,薄膜的晶粒变细,薄膜中氮含量升高,相转变为单一的面心立方TaN,残余应力升高;基体温度升高,残余应力增大;工作压力增加,残余应力升高;此外,溅射功率的改变导致薄膜厚度的改变,进而引起薄膜中残余应力改变.当氮气流量2sccm,基体温度25℃,功率150 W,工作压力0.3 Pa时,沉积得到的TaN薄膜残余应力最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨高峰		12	1	1.0	1.0