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摘要:
首先以高温一锅煮法合成了CuInS2核量子点,再通过连续和长时间的包覆ZnS外壳,制备出了量子产率高达76%的厚壳结构CuInSJZnS/ZnS,将CuInS/ZnS/ZnS量子点作为发光层,利用简单的溶液处理法工艺成功制备出CuInS2基量子点发光二极管(QLEDs).同时对量子点的结构、形貌和光学性能及CuInS2基QLEDs的光电性能进行表征和分析,研究结果表明,通过延长高温反应时间在CuInS2核上包覆ZnS外壳,能够合成具有良好的光致发光性能的CuInS2/ZnS/ZnS量子点,利用溶液法制备的CuInS2基QLEDs开启电压值仅为2.5V,并且其发光亮度能够达到5473 cd/m2.CuInS2/ZnS/ZnS的光致发光和电致发光性能都有了很大的提升.
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CuInS2
CuInS2/ZnS
核壳结构
水相制备
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量子点
ZnS∶Mn
荧光
反胶束
制备
水溶性ZnS:Mn2量子点的合成及荧光性能研究
ZnS:Mn2+量子点
Mn2+浓度
荧光
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 CuInS2/ZnS/ZnS量子点的制备与光电性能研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 量子点 量子产率 量子点发光二极管 发光亮度
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目 纳米技术
研究方向 页码范围 155-162
页数 8页 分类号 TM912.9
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.02.12
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭太良 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 302 1102 15.0 21.0
2 杨尊先 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 34 85 5.0 7.0
3 赵志伟 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 1 0 0.0 0.0
4 刘佳慧 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 4 0 0.0 0.0
5 叶冰清 福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
量子点
量子产率
量子点发光二极管
发光亮度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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3
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19905
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