次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响

• 作者: 刘静 汪元坤 王倩 王涛
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电离总剂量效应 次级电子平衡 吸收剂量 蒙特卡罗方法
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TL72
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.070203

摘要

选择双列直插塑料封装的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件CC4069六反相器作为研究对象,采用蒙特卡罗方法分析了器件吸收剂量与标称辐照剂量的差异,结合电离总剂量效应敏感参数阈电压的测量,分析评估了不满足次级电子平衡条件对器件敏感区吸收剂量和电离总剂量效应的影响程度,分析比较了标称辐照剂量和修正吸收剂量的PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor)和NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor)不同偏置下的阈电压漂移变化规律.结果表明:器件敏感层中的吸收剂量只有标称辐照剂量的83.52%.次级电子不平衡下的辐照试验会影响器件的抗辐射水平考核,器件的抗辐射水平被高估了16.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王倩	新疆大学物理科学与技术学院	67	109	6.0	8.0
2	王涛	新疆大学物理科学与技术学院	29	194	6.0	13.0
3	刘静	新疆大学物理科学与技术学院	44	197	3.0	14.0
4	汪元坤	新疆大学物理科学与技术学院	2	0	0.0	0.0