锑掺杂氧化锡薄膜的制备及其对硅基太阳能电池工作温度的影响

• 作者: 侯成义 张青红 李然 李策 王宏志 谢华清 陈爽 高蕊谦伶
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锑掺杂氧化锡 红外阻隔薄膜 降温 硅基太阳能电池
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 515-520
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20180302

摘要

硅基太阳能电池占据着光伏发电的最大份额,但是在阳光下其工作温度过高会降低电池效率和功率输出,因此降低硅基太阳能电池在阳光下的工作温度具有重要意义.本研究以氯化亚锡和三氯化锑为原料,通过简单的溶胶-凝胶法制备锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜,将其作为硅电池盖板,研究了锑(Sb)掺杂量和薄膜厚度对薄膜红外阻隔性能和硅电池降温性能的影响.研究表明,ATO薄膜的红外遮蔽性能随薄膜厚度增加而提高,但可见光透过率随之降低.用AM1.5太阳光持续照射30 min后,使用旋涂1～4层ATO薄膜盖板的硅电池温度比使用普通玻璃盖板的电池最大降低2.7℃,晶硅电池效率可以保持在10.79％以上.此外,使用10mol％锑掺杂的3层ATO薄膜盖板的硅电池在连续光照30 min后,温度比使用普通玻璃盖板最大降低1.5℃,效率提高了0.43％.