MPS二极管的少子特性仿真

• 作者: 刘晓忠 孙霞霞 汪再兴 王永顺 郑丽君
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 混合pin/肖特基(MPS)二极管 少数载流子浓度 高频特性 反向恢复时间 漂移区
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 270-275,285
• 页数: 7页
• 分类号: TN313.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.005

摘要

混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性.对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析.仿真结果表明,MPS二极管的p+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大.虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度.折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	孙霞霞	兰州交通大学电子与信息工程学院	13	2	1.0	1.0
3	汪再兴	兰州交通大学电子与信息工程学院	8	30	3.0	5.0
4	郑丽君	兰州交通大学电子与信息工程学院	5	2	1.0	1.0
5	刘晓忠	兰州交通大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0