N掺杂MgZnO薄膜的光电性质

• 作者: 姚斌 张振中 李炳辉 李贤丽 赵鹏程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 MgZnO薄膜 光电性质
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 956-960
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194008.0956

摘要

ZnO是优异的紫外发光和激光材料,氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂,但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性,使氧化锌的载流子迁移率进一步下降.为了研究N的掺入对MgZnO薄膜的影响,利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了N掺杂的ZnO和MgZnO薄膜.实验结果表明,在其他条件完全相同的情况下,当Mg源温度为245℃和255℃时,载流子迁移率会显著提高,这一现象被归结为Mg—N成键抑制了氧位上N—N对的形成,缓解了晶格的扭曲.同时当Mg源温度为275℃时,能够使N掺杂ZnO薄膜中的施主浓度降低一个量级,有利于实现p型掺杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚斌	吉林大学物理学院	23	68	4.0	7.0
2	张振中	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室	10	103	4.0	10.0
3	李贤丽	东北石油大学电子科学学院	34	48	3.0	4.0
4	赵鹏程	东北石油大学电子科学学院	1	1	1.0	1.0
5	李炳辉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室	1	1	1.0	1.0