薄带连铸取向硅钢Goss晶粒二次再结晶过程的研究

• 作者: 张元祥 方烽 曹光明 李成刚 王洋
• 来源期刊: 钢铁研究学报
• 关键词: 双辊薄带连铸 取向电工钢 二次再结晶 织构 磁性能
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 202-206
• 页数: 5页
• 字数: 1255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20180342

摘要

研究了双辊薄带连铸Fe3％ Si取向硅钢薄带在冷轧后二次再结晶过程中Goss晶粒的演化过程.结果 表明:薄带连铸流程可以固溶较多的抑制剂元素,并且无需通过“γ→α”相变控制AlN的析出.铸带经过两阶段冷轧变形和高温退火后,可以获得完善且位向准确的Goss晶粒,B8值达到1.92T以上.高温退火升温过程中,在抑制剂的作用下基体晶粒尺寸基本稳定,Goss晶粒在1 035～1 060℃范围内发生异常长大.长大方式为位向准确的Goss二次晶粒快速发生异常长大,吞并基体中稳定的初次晶粒,而后快速发生异常长大的二次晶粒继续吞并发展缓慢的Goss二次晶粒和一些尺寸较大的初次晶粒,最终完成全部二次再结晶过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洋	东北大学轧制自动化国家重点实验室	20	170	7.0	12.0
2	李成刚	东北大学轧制自动化国家重点实验室	17	26	3.0	4.0
3	曹光明	东北大学轧制自动化国家重点实验室	58	269	8.0	14.0
4	张元祥	东北大学轧制自动化国家重点实验室	9	38	3.0	6.0
5	方烽	东北大学轧制自动化国家重点实验室	2	5	2.0	2.0