寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响

• 作者: 修强 张英 彭子和 秦海鸿 荀倩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型氮化镓(GaN) HEMT 开关行为 寄生电感 双脉冲测试 优化布局
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 257-264
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.003

摘要

寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势.通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证.实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦海鸿	南京航空航天大学自动化学院	99	729	14.0	23.0
2	修强	南京航空航天大学自动化学院	6	1	1.0	1.0
3	张英	南京航空航天大学自动化学院	6	17	2.0	4.0
4	彭子和	南京航空航天大学自动化学院	4	1	1.0	1.0