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摘要:
为了满足片上太赫兹(THz)通信系统的需要,并验证硅锗双极-互补金属氧化物(SiGe BiCMOS)工艺应用于太赫兹无源器件的性能,设计了一款小型化带通滤波器.该滤波器通过在半模基片集成波导(HMSIW)上加载互补开口谐振环(CSRR)来实现小型化和滤波特性.采用商业电磁仿真软件对滤波器结构进行优化,滤波器的最终尺寸为800μm×360μm.仿真结果表明:滤波器中心频率为140 GHz,带宽为5%,最小插入损耗为2.6 dB.低插入损耗和小型化使得该滤波器适用于片上太赫兹通信系统.
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文献信息
篇名 基于半模基片集成波导的片上小型化太赫兹滤波器
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 太赫兹 小型化滤波器 基片集成波导 互补谐振环
年,卷(期) 2019,(8) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 87-90
页数 4页 分类号 TN713
字数 2443字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.08.015
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研究主题发展历程
节点文献
太赫兹
小型化滤波器
基片集成波导
互补谐振环
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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16
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31758
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