碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究

• 作者: 王坤
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 高温焙烧法 氮掺杂 催化降解率 转化率 选择性
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 工业陶瓷
• 页码范围: 43-53
• 页数: 11页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 7472字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能,被广泛应用于很多领域,碳化硅陶瓷的制备常用无压烧结法.无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件,而且相对容易实现工业化生产等特点,因此无压烧结是碳化硅陶瓷制备中最有前途的烧结方法.本实验采用无压烧结,在α-SiC粉体中添加不同含量粒度为1μm的β-SiC,烧结助剂为碳化硼,粘结剂为酚醛树脂,保护气氛为氩气,烧结温度为2010℃,烧结时间为40 min.分析烧结体的性能,确定烧结体性能最佳时的β-SiC添加量.实验结果表明:β-SiC添加量为10 wt％ 时,烧结体体积密度最高,可达3.128 g/cm3.初步确定最佳的β-SiC添加量为10 wt％.