2～8 GHz超宽带低噪声放大器设计

• 作者: 刘轶 吴晓文 陈晓东
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: InGaAs 并联负反馈 低噪声放大器 S波段 C波段 超宽带
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 电子技术及应用
• 页码范围: 108-111
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2019.07.026

摘要

文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2～8 GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA).该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配.三级电路均采用电阻自偏压方式实现单电源供电,并且加入了正电延时模块确保晶体管正常工作.测试结果表明,在2～8 GHz频率范围内,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-8.5 dB和-7.7 dB,正向增益S21大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓东	中国科学院上海高等研究院	43	350	10.0	18.0
2	吴晓文	中国科学院上海高等研究院	3	2	1.0	1.0
6	刘轶		6	9	2.0	2.0