Sc2O3掺杂对Y2O3-Gd2O3-HfO2难熔稀土氧化物直热式阴极热发射性能的影响

• 作者: 张兆传 李云 王小霞 赵庆兰 陈晓倩
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直热式阴极 Y2O3-Gd2O3-HfO2 Sc2O3掺杂 热发射电流密度
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 131-135
• 页数: 5页
• 分类号: O462
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.02.07

摘要

Y2O3-Gd2O3-HfO2难熔稀土氧化物直热式阴极具有制备工艺简单,热发射电流密度大,次级电子发射系数大,寿命长等优点,在大功率连续波磁控管中具有很好的应用潜力.为进一步提高Y2O3-Gd2O3-HfO2阴极的热发射性能,本文对该阴极的发射物质进行了不同比例Sc2O3的掺杂,结果表明,Sc2O3的掺杂能有效提高Y2O3-Gd2O3-HfO2阴极的热发射电流密度,其中,掺杂10％(质量比)Sc2O3的Y2O3-Gd2O3-HfO2阴极热发射电流密度在1500℃下达到5.3 A/cm2,比未掺杂时提升了35.5％.由于在阴极激活过程中Sc2O3与Y2O3形成了固溶体,合成氧化物中Sc得到电子并释放出游离Sc,增强了涂层的导电性,所以,Sc2O3掺杂Y2O3-Gd2O3-HfO2难熔稀土氧化物直热式阴极热发射性能具有显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李云	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	63	321	9.0	14.0
2	王小霞	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	36	144	7.0	9.0
3	张兆传	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	31	158	6.0	11.0
4	赵庆兰	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	陈晓倩	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术重点实验室	1	0	0.0	0.0