基于第一性原理的Ga-Eu共掺ZnO光电性质的研究

• 作者: 杨平 高伟
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO Ga-Eu共掺 第一性原理 光电性质
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 380-384,419
• 页数: 6页
• 分类号: O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.03.017

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,分析了Ga-Eu共掺杂ZnO(GEZO)结构的能带结构、态密度、马利肯布居分布以及光学性质.结果 表明,计算得到的晶格常数及带隙与实验值一致.Ga,Eu的掺入贡献了导电载流子,使体系的电导率增强.费米能级进入导带,呈现n型导电.从态密度中可知费米能级处出现了由Eu的4f态引入的杂质带,Ga也在导带底处贡献了4p和4s态.原子和键的平均马利肯布居分布表明,Ga,Eu原子的掺入增强了键的离子性.光学性质方面,Ga,Eu的掺入使得介电函数实部和虚部的峰位向低能区转移,吸收率和反射率在可见光区均有提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平	江苏大学机械工程学院微纳光电子器件及系统先进制造与可靠性国际实验室	39	198	8.0	11.0
2	高伟	江苏大学机械工程学院微纳光电子器件及系统先进制造与可靠性国际实验室	4	3	1.0	1.0