超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势

• 作者: 何君 李明月
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlN 超宽禁带 光电器件 电力电子器件 声表面波(SAW)器件
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 241-250,256
• 页数: 11页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.001

摘要

作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数.这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景.介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何君	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	48	3.0	3.0
2	李明月	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	46	2.0	6.0