CeO2对ZrH1.8表面微弧氧化复合陶瓷层结构的影响

• 作者: 李世江 杜培 杨少辉 钟学奎 闫淑芳 陈伟东 马文
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZrH1.8 微弧氧化 CeO2 陶瓷层 孔隙率
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 膜层材料与技术
• 页码范围: 279-284
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.453
• 字数: 2970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.04.039

摘要

目的 利用微弧氧化表面处理技术,通过改变电解液成分,在ZrH1.8表面原位制得一层致密的复合陶瓷层.方法 通过在电解液中添加CeO2颗粒,采用恒压模式对氢化锆(ZrH1.8)表面进行微弧氧化处理,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、涂层测厚仪、涂层附着力自动划痕仪,分析陶瓷层表面和截面形貌、相结构、厚度及其与基体的结合力,通过Archimedes排水法对所制备陶瓷层的致密性进行定量分析.结果 CeO2颗粒的添加有利于陶瓷层的生长,与不添加CeO2颗粒所制得的陶瓷层相比,加入CeO2后,陶瓷层的厚度有所增加,陶瓷层与基体的结合力由81 N增大至104 N.XRD分析表明,陶瓷层中出现CeO2特征峰,可知CeO2在微弧氧化过程中成功地吸附在陶瓷层表面.不添加CeO2时,陶瓷层的孔隙率为14.22％;添加CeO2后,陶瓷层的孔隙率降低至5.79％.结论 CeO2颗粒的加入可有效提高基体ZrH1.8与陶瓷层的结合力,降低了陶瓷层的孔隙率,使氢化锆表面微弧氧化陶瓷层的致密性得到改善.