多层像素芯片缪子成像装置中芯片位置校正方法研究

• 作者: 左嘉旭 徐翀 王宏凯 赵传奇 韩静茹
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅像素芯片 位置分辨 径迹重建 位置校正
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 43-48
• 页数: 6页
• 分类号: O572.19
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.070403

摘要

硅像素互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)芯片因具有微米级的位置分辨能力和极高的探测效率等特点,对于径迹精确重建具有举足轻重的作用.通过大面积拼接,能够将硅像素芯片用于μ子成像,但芯片拼接产生的机械误差,以及各层之间的相对位置误差,对μ子重建过程中的位置精度具有明显影响.本文利用μ子通过探测层时产生的观测点,建立了基于μ子径迹直线拟合模型的迭代芯片位置校正算法.通过在GEANT4程序中构建μ子成像探测原型装置,其中包含8个物理探测层,每层拼接了4块硅像素芯片,并添加芯片在x、y方向与旋转角θ三个自由度上的偏移量,模拟了真实情况下的机械误差对重建位置精度的影响.结果显示:该算法可用于芯片真实位置的高精度修正,使芯片位置修正精度小于5 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宏凯		4	2	1.0	1.0
2	徐翀		2	0	0.0	0.0
3	赵传奇		4	0	0.0	0.0
4	左嘉旭		3	0	0.0	0.0
5	韩静茹		3	0	0.0	0.0