一种近阈值电压标准单元特征化建库方法

• 作者: 安文婷 胡伟 袁甲
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 近阈值 标准单元库 查找表 库文件
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 电气与信息工程
• 页码范围: 85-90
• 页数: 6页
• 分类号: TN492
• 语种: 中文
• DOI: 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2019.04.012

摘要

面向近阈值电压下库单元的实际使用情况,针对传统库文件查找表误差较大的问题,提出了一种近阈值电压下对标准单元的特征化建库方法.通过对标准单元实际应用情况的分析,重新界定了查找表的边界;通过分析电路综合结果与电路仿真结果的相对误差,重新确定了查找表的规模;从而提高了近阈值电压下标准单元库准确性.该方法对smic55nmCMOS工艺的库文件在0.6V电压下特征化建库,并进行误差评估,结果表明,该方法相较于传统方法建立的库文件,准确性提高了16％～63.51％,减小了查找表误差,有效提高了库文件的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡伟	湖南大学物理与微电子科学学院	20	85	6.0	9.0
2	袁甲	中国科学院微电子研究所	16	33	3.0	4.0
3	安文婷	湖南大学物理与微电子科学学院	1	0	0.0	0.0