基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化

• 作者: 刘玉岭 徐奕 王辰伟 马腾达
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Cu/Ta/TEOS 去除速率 碱性阻挡层 抛光液 单因素实验 正交试验
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 157-166
• 页数: 10页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.02.012

摘要

研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响.通过单因素实验分别考察了磨料、FA/O Ⅱ螯合剂、KNO3和FA/O Ⅱ表面活性剂质量分数和H2 O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质量分数为20％、FA/O Ⅱ螯合剂质量分数为2％、H2O2体积分数为0.1％,KNO3质量分数为1.5％、FA/O Ⅱ表面活性剂质量分数为2％的碱性阻挡层抛光液,该抛光液的Cu、Ta和TEOS的去除速率选择比为1∶1.47∶1.65.对4片12英寸(1英寸=2.54 cm)65 nm铜互连图形片的M4层进行阻挡层抛光,结果显示,铜沟槽内剩余铜膜厚度约为300 nm(目标值),图形片表面缺陷数目在10颗左右,碟形坑和蚀坑深度分别由52.3 nm和40 nm降至19.9 nm和18.4 nm,铜的表面粗糙度由4.4nm降至1.9 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
3	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
9	徐奕	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0
13	马腾达	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0