PbO和Nb2O5共掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

• 作者: 卢云 柯建成 王若男 王莉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 固相反应 CCTO陶瓷 共掺杂 微观结构 巨介电性能 IBLC模型
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TM28
• 字数: 3064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.08.005

摘要

采用固相反应法制备PbO和Nb2O5共掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了CCTO巨介电效应机理.通过XRD,SEM,介电频谱及阻抗谱等测试手段,分析纯CCTO陶瓷,PbO掺杂的CCTO陶瓷和PbO、Nb2O5共掺杂CCTO陶瓷的微观结构及介电性能,研究结果表明:掺杂PbO可以显著降低CCTO陶瓷的介电损耗,掺杂摩尔分数2％PbO的CCTO陶瓷的介电损耗从0.13下降到0.03,但其介电常数也显著下降;摩尔分数2％PbO和0.25％Nb2O5共掺杂的CCTO陶瓷,在0.1～1 kHz频率范围内相对介电常数高达4.6×104～5.5×104,而介电损耗只有0.09左右,且摩尔分数2％PbO和0.5％Nb2O5共掺杂的CCTO陶瓷的相对介电常数在4×104左右.因此,PbO和Nb2O5共掺杂可以在增加CCTO陶瓷介电常数的同时降低其介电损耗.结合阻抗谱分析表明,CCTO陶瓷的介电损耗在低频下由晶界电阻决定,在高频下主要受晶粒电容的影响,而介电常数的大小取决于晶粒尺寸和晶界极化,符合IBLC模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢云	电子科技大学电子科学与工程学院	29	289	8.0	16.0
2	王莉	电子科技大学电子科学与工程学院	15	87	4.0	9.0
3	王若男	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	柯建成	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0