沉积温度及热处理对AZO纳米叠层薄膜性能的影响

• 作者: 丁铮 关钧 端木庆铎
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微通道板(MCP) 氧化锌铝(AZO)纳米薄膜 原子层沉积(ALD) 热处理 电学特性
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: TB383|TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.02.009

摘要

采用原子层沉积技术(ALD)在石英片和n型(100) Si上沉积高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜,通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)和体积表面电阻率测试仪对薄膜的表面形貌、晶体结构及电学性能进行表征分析,分别研究了不同沉积温度及退火温度对薄膜结构及性质的影响.研究结果表明AZO薄膜存在最优的生长温度窗口为170～200℃,同时发现,经过退火处理的薄膜电阻率明显增大,且适当的退火有助于薄膜结构的优化,经过400℃下退火4h后的薄膜电阻趋于稳定,可作为微通道板(MCP)打拿极高阻导电层材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
2	关钧	长春理工大学理学院	2	4	2.0	2.0
3	丁铮	长春理工大学理学院	1	2	1.0	1.0