外源硅和嫁接砧木对黄瓜幼苗生长及硅吸收分配的影响

• 作者: 冯改利 刘淑侠 周鑫 李岩 李治红 赵升 魏珉
• 来源期刊: 山东农业大学学报（自然科学版）
• 学科: 农学
• 关键词: 硅 嫁接 砧木 黄瓜 生长
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 367-371
• 页数: 5页
• 分类号: S642.2
• 字数: 3523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2324.2019.03.003

摘要

选用砧木'云南黑籽南瓜'和'黄诚根2号'嫁接'新泰密刺'黄瓜,以自根黄瓜为对照,在人工气候室内采用水培法研究了不同外源硅浓度下幼苗的光合特性、生物量积累及硅吸收分配特性.结果表明:低浓度外源硅(0.085和0.17 mmol/L)提高幼苗的光合速率、蒸腾速率和生物量,高浓度外源硅(1.7 mmol/L)起到抑制作用;器官硅含量随外源硅浓度升高而增加,不同器官中硅含量为叶片>根系>茎;植株对硅的吸收速率为'云南黑籽南瓜'嫁接黄瓜>自根黄瓜>'黄诚根2号'嫁接黄瓜,相同硅浓度下器官中硅含量呈现相同变化规律.嫁接和适量外源硅可以促进黄瓜幼苗生长,嫁接砧木会改变植株对硅的吸收分配特性.