Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究

• 作者: 王佳伟 罗凤凤
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: -ITO薄膜 Fe离子注入 室温铁磁性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 17-20,25
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13990/j.issn1001-3679.2019.01.003

摘要

ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一.用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低;Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王佳伟	江西省科学院应用物理研究所	6	5	2.0	2.0
2	罗凤凤	江西省科学院应用物理研究所	5	5	2.0	2.0