n型异质结背接触太阳电池前表面的场钝化

• 作者: 宋志成 屈小勇 张天杰 郭永刚 高嘉庆
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: n型太阳电池 异质结背接触 前表面场 Silvaco-TCAD 转换效率
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 101-106,118
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.02.003

摘要

利用Silvaco-TCAD仿真软件建立二维模型,对n型异质结背接触(HBC)单晶硅太阳电池前表面场进行模拟研究.通过在n型单晶硅衬底正面分别引入一层较薄的本征非晶硅层和一层n+非晶硅层对电池前表面进行高质量的场钝化,分析了n+非晶硅层的厚度和掺杂浓度以及本征非晶硅层的厚度和带隙宽度对电池电学性能的影响.模拟结果表明:当n+非晶硅层厚度小于6 nm,掺杂浓度为1×1019 cm-3,本征非晶硅层的厚度为3 nm,带隙宽度大于1.5 eV时,电池前表面实现了良好的场钝化效果,HBC太阳电池获得了24.5％的转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋志成		8	3	1.0	1.0
2	郭永刚		12	8	2.0	2.0
3	屈小勇		8	6	2.0	2.0
4	高嘉庆		2	1	1.0	1.0
5	张天杰		2	1	1.0	1.0