δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿

• 作者: 丛伟艳 宋迎新 李斌 李素梅 王爱芳 郑卫民 黄海北
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 共振隧穿 重空穴和轻空穴 GaAs/AlAs多量子阱 电流-电压特征 δ-掺杂
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1373-1379
• 页数: 7页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194011.1373

摘要

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂.基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件.在4～200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象.发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的.然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国科学院上海技术物理研究所	372	5610	37.0	58.0
2	黄海北	山东大学化学与化学工程学院	2	0	0.0	0.0
3	宋迎新		4	0	0.0	0.0