针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计

• 作者: 卞正达 张铭 徐长福 王若隐 黄天一
• 来源期刊: 电力工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 逆变电路 尖峰 米勒平台 RC缓冲电路
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 电机与电器
• 页码范围: 167-172
• 页数: 6页
• 分类号: TM23
• 字数: 2767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12158/j.2096-3203.2019.06.023

摘要

由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展.以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡.通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐长福	国网江苏省电力有限公司电力科学研究院	5	16	3.0	4.0
2	张铭	东南大学电气工程学院	2	0	0.0	0.0
3	卞正达	东南大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0
4	黄天一	东南大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0
5	王若隐	东南大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0