一种高线性无源双平衡混频器

• 作者: 张晓朋 曲韩宾 高博 高思鑫
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 混频器 BiCMOS 无源双平衡 高线性度 下变频
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 421-425,432
• 页数: 6页
• 分类号: TN433|TN773
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.004

摘要

设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器.电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路.为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间.基于0.35 μm BiCMOS工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm.流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入三阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3V,功耗为112 mW.该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓朋		8	1	1.0	1.0
2	高博		10	1	1.0	1.0
3	曲韩宾		4	8	1.0	2.0
4	高思鑫		2	0	0.0	0.0