C/N自掺杂提高g-C3N4光响应的理论研究

• 作者: 李宗宝 王霞 石维
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: g-C3N4 C/N自掺杂 电子结构 形成能
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 735-742
• 页数: 8页
• 分类号: O643
• 字数: 3938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2019.04.025

摘要

依托半导体的光催化性能对环境中的污染物进行降解是解决环境污染的一种有效途径.类石墨烯相C3N4(g-C3N4)具有稳定的化学性能和独特的电子结构,在光催化领域展现出巨大的应用潜力.采用第一性原理,本文对不同比例的C/N自掺杂g-C3N4的晶体结构和电子结构进行了探究.通过不同掺杂位形成能的比较,探究了单原子替位掺杂和多原子表面转移掺杂的最优化结构.通过电子结构的比较发现:C原子自掺杂较N原子自掺杂形成能更低,易于在实验中实现;随N掺杂比例的增加,g-C3N4的吸收光谱向红外移动;C掺杂比例为1/12时对可见光的响应最强.该理论结果除获得掺杂的微观机理解释,亦利于对后续实验的合成提供理论依据和指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王霞	铜仁学院材料与化学工程学院	41	117	5.0	9.0
2	石维	铜仁学院材料与化学工程学院	40	70	5.0	5.0
3	李宗宝	铜仁学院材料与化学工程学院	29	67	5.0	6.0