碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

• 作者: 丁瑞军 任士远 何力 周松敏 林春 王溪 郭慧君 陈路 魏彦锋
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 电容 载流子浓度 缓变PN结
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 413-417
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3316字
• 语种: 中文

摘要

报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法.标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据.对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度.