异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术

• 作者: 夏宗泽 李东升 李艳辉 杨春章 杨晋 覃钢 邸卓 陈卫业
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质衬底 碲镉汞 位错抑制 循环退火 腐蚀坑密度
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 405-412
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 字数: 5329字
• 语种: 中文

摘要

本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳辉		14	24	3.0	4.0
2	杨春章		8	12	2.0	3.0
3	李东升		27	43	3.0	4.0
4	陈卫业		3	2	1.0	1.0
5	覃钢		8	9	2.0	2.0
6	杨晋		2	2	1.0	1.0
7	夏宗泽		4	6	1.0	2.0
8	邸卓		1	0	0.0	0.0