p型SiC欧姆接触理论及研究进展

• 作者: 夏马力 谷晓钢 黄玲琴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p型SiC 欧姆接触 势垒理论 比接触电阻率 形成机理
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 401-409
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.001

摘要

碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一.然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制中亟需攻克的关键技术难题.首先对p型SiC欧姆接触的形成机制及金属/SiC接触势垒理论进行了深入分析.然后,对近年来p型SiC欧姆接触的重要研究进展进行了综述,包括形成欧姆接触的金属体系,制备工艺条件,获得的比接触电阻率等,并重点讨论了p型SiC欧姆接触的形成机理.最后,对未来p型SiC欧姆接触的研究方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷晓钢	江苏师范大学电气工程及自动化学院	7	5	1.0	2.0
2	黄玲琴	江苏师范大学电气工程及自动化学院	7	8	2.0	2.0
3	夏马力	江苏师范大学电气工程及自动化学院	1	0	0.0	0.0