用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量

• 作者: 孙科伟 张胜男 杨丹丹 王健 程红娟 郝建民 金雷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC单晶 高分辨X射线衍射(HRXRD) 面扫描 摇摆曲线半高宽(FWHM) 晶界
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 477-482
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2|O785
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.014

摘要

介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用.对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区.结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征.二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致.对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
2	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
3	王健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	38	82	6.0	7.0
4	孙科伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	2	1.0	1.0
5	张胜男	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	5	1.0	1.0
6	杨丹丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	10	1.0	3.0
7	金雷		2	1	1.0	1.0