物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析

• 作者: 付丹扬 吴亮 王琦琨 贺广东 雷丹 黄嘉丽 龚建超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 物理气相传输 同质外延 紫外透光率
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1604-1607
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.09.004

摘要

本文采用物理气相传输法(PVT)及同质外延工艺,在自发生长的6 mm×7 mm AlN籽晶片上,通过4次迭代,成功生长出高质量1英寸AlN单晶锭.将生长出的单晶锭经过切片、研磨和抛光工艺加工成1英寸低表面粗糙度的单晶片,并采用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射仪、分光光度计对籽晶片与外延晶片进行结晶质量、位错密度以及紫外透光率等性能表征.结果 表明:外延晶片的拉曼E2(high)半高宽为2.86 cm-1,(002)面XRD摇摆曲线半高宽为241 arcsec,说明晶片具有很高的结晶质量;经过同质外延4次迭代后的晶片较初始籽晶片相比质量有所下降,说明生长过程中由于非平衡生长存在缺陷的增殖;外延晶片具有极其优异的紫外透光率,深紫外265～280 nm波段下的吸收系数低至19～21.5 cm-1.