电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响

• 作者: 全知觉 刘军林 张建立 江风益 潘拴 胡耀文 高江东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 黄光LED 电子阻挡层 半导体仿真
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1102-1107
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 4018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194009.1102

摘要

为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制,首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺,在外延过程中通过控制三甲基铝(TMAl)流量,分别获得EBL-1含有Al组分约20％、50％、80％的硅衬底GaN基黄光LED;随后使用半导体仿真软件Silvaco Atlas对这3种样品的实际测试内量子效率曲线进行拟合.结果表明,EBL-1中Al组分对内量子效率的影响主要体现在两方面:一是EBL-1的Al组分越高越有利于空穴从V形坑侧壁注入到多量子阱有源区;二是EBL-1中过高的Al组分会降低p型GaN晶体质量,导致空穴浓度下降;综合表现为Al组分约50％的EBL-1在这种双层电子阻挡层的设计下最有利于提高硅衬底GaN基黄光LED的内量子效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益		4	1	1.0	1.0