氮化镓单晶生长研究进展

• 作者: 任国强 刘宗亮 徐科 王建峰 苏旭军 蔡德敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓单晶 氢化物气相外延 氨热法 助熔剂法
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 特邀综述
• 页码范围: 1588-1598
• 页数: 11页
• 分类号: O78
• 字数: 6440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.09.002

摘要

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任国强	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	37	347	11.0	17.0
2	徐科	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	26	91	5.0	9.0
4	刘宗亮	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	2	1	1.0	1.0
7	王建峰		1	1	1.0	1.0
8	蔡德敏		1	1	1.0	1.0
9	苏旭军	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	1	1.0	1.0