NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响

• 作者: 张静 朱轩民 李晓婷 李永亮 王文武 闫江 马雪丽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 界面钝化 NH3等离子体 Al2O3/SiGe/Si 选择性
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 444-448,463
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.008

摘要

研究了不同条件的非原位NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe/Si结构界面组分的影响.在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si0.7Ge0.3,采用双层Al2O3结构,第一层1 nm厚的A12O3薄膜为保护层,之后使用非原位NH3等离子体分别在300和400℃下对Al2O3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物(SiNxOy)和锗氮化物(GeNxOy)的界面层.通过X射线光电子能谱(XPS)分析表面的物质成分,结果表明NH3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张静	北方工业大学信息学院	15	15	2.0	3.0
2	王文武	中国科学院微电子研究所	6	4	1.0	2.0
3	李永亮	中国科学院微电子研究所	5	6	1.0	2.0
4	闫江	北方工业大学信息学院	9	1	1.0	1.0
5	朱轩民	北方工业大学信息学院	1	0	0.0	0.0
6	马雪丽	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0
7	李晓婷	北方工业大学信息学院	1	0	0.0	0.0