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摘要:
实际晶体中的缺陷在生长过程中将减小乃至完全消除表面二维成核的势垒,成为永不消失的台阶源,对晶体生长动力学有重要影响.本文将总结本实验室在该领域中所完成的系统研究,从晶体缺陷所引起的结构变化和缺陷在表面露头处的原子组态出发,系统地讨论晶体生长的位错机制、层错机制、孪晶机制以及重入角生长和粗糙面生长的协同机制.
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文献信息
篇名 实际晶体的生长机制
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 位错 层错 孪晶 二维成核 亚台阶 粗糙面 平滑面 重入射角
年,卷(期) 2019,(9) 所属期刊栏目 纪念闵乃本院士逝世一周年
研究方向 页码范围 1573-1587
页数 15页 分类号 O781
字数 5873字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.09.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闵乃本 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 21 136 7.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
位错
层错
孪晶
二维成核
亚台阶
粗糙面
平滑面
重入射角
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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38029
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