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摘要:
在高过载环境下推进剂药柱会产生轴向形变并对药壳产生挤压应力,目前对其研究主要集中在理论方面,对药壳的挤压应力和推进剂药柱轴收缩长度测量基本属于空白阶段.针对上述问题,研制了一种测量高过载下药柱蠕变特性的系统,利用应变片和PSD位置传感器,实现了对高过载下药柱压力和位移的测量.最后对测量系统分别进行了静态标定和模拟瞬间高过载的过载冲击试验,试验结果表明:该系统具有测量精度高、可靠性强的特点.
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文献信息
篇名 高过载下推进剂药柱测量系统的研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 高过载 应变片 PSD位置传感器 静态标定 过载冲击
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 1063-1069
页数 7页 分类号 TP274
字数 2602字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.04.048
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 焦新泉 中北大学电子测试技术国家重点实验室 67 229 8.0 11.0
2 赵冬青 中北大学电子测试技术国家重点实验室 21 49 4.0 6.0
3 姜喜洋 中北大学电子测试技术国家重点实验室 2 4 1.0 2.0
4 夏忠海 中北大学电子测试技术国家重点实验室 3 15 2.0 3.0
5 杨志文 中北大学电子测试技术国家重点实验室 3 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高过载
应变片
PSD位置传感器
静态标定
过载冲击
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
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