InGaZnO薄膜晶体管背板的层间Cu互连静电保护研究

• 作者: 张盛东 王婷婷 王海宏 陈旭 马群刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaZnO薄膜晶体管 Cu互连 SiO2绝缘层 静电放电
• 年，卷（期）: 2019,（15）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 184-192
• 页数: 9页
• 字数: 4339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190646

摘要

InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic discharge,ESD)耐压能力比传统a-Si TFT背板低将近一个数量级电压,数据线和扫描线层间Mo/Cu互连抗击穿电压只有传统a-Si TFT背板层间Mo/Al/Mo互连的60％ 左右.层间Cu互连的ESD破坏成为影响IGZO TFT超高清面板正常显示的一个重要因素.本文建立了扫描线层Cu金属扩散进入SiNx/SiO2绝缘层和数据线层Cu金属在爬坡拐角处扩散进入SiO2绝缘层,诱发层间Cu互连ESD破坏的机理模型.提出了Cu互连周边ESD保护电路架构三种基本结构的选型条件,以及保证层间Cu互连抗ESD击穿能力的ESD保护电路设计方法.利用本文提出的方法,有效降低了IGZO TFT背板的层间Cu互连ESD破坏风险.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海宏		7	29	4.0	5.0
2	张盛东	北京大学信息工程学院	13	47	4.0	6.0
6	马群刚	北京大学信息工程学院	2	1	1.0	1.0
10	陈旭		1	0	0.0	0.0
11	王婷婷		1	0	0.0	0.0