MOS场效应管静电击穿原因及检测方法

• 作者: 欧宝明
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: MOS管 静电 击穿 检测
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2019.03.017

摘要

文章主要介绍MOS场效应管容易受到静电击穿损坏的原因,并从实际应用的角度,给出简单测量场效应管的方法,为维修和应用方面提供一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧宝明		2	2	1.0	1.0