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摘要:
镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+的浓度有关.本研究通过方波阳极溶出伏安法(SWASV)在活化铋膜电极(Activated BFE)上对低浓度μg/L水平的Cd(II)进行测定.通过电化学方法对电极进行初步改性,然后电沉积制备铋膜再次对电极进行改进,从而增强了对痕量目标Cd2+的敏感性.对改性前后的玻碳电极(GCE)表面进行SEM、CV、EIS和SWV的表征.为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+的实际样品中,对检测Cd2+的实验参数进行了研究.使用选定的条件,在10 min的预富集条件下Cd2+的检测限为1μg/L.
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文献信息
篇名 铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量Cd金属
来源期刊 无机材料学报 学科 工学
关键词 铋膜 阳极溶出伏安法 化学修饰电极 电化学检测 镉离子
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 91-95
页数 5页 分类号 TQ174
字数 3781字 语种 中文
DOI 10.15541/jim20180169
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨贤金 天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室 80 1056 19.0 28.0
2 朱胜利 天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室 61 734 16.0 23.0
3 崔振铎 天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室 69 813 16.0 25.0
4 李朝阳 天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室 19 170 7.0 12.0
5 要美娜 天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室 1 1 1.0 1.0
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铋膜
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电化学检测
镉离子
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无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
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