全息光刻制备808 nm腔面光栅半导体激光器

• 作者: 尤明慧 李占国 王勇 王岳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 波长锁定 腔面光栅 全息光刻
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1130-1135
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194009.1130

摘要

利用全息光刻开展了808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备,制备与表征了单管芯器件,单管芯器件条宽100μm,腔长2 mm,输出中心波长807.32 nm,光谱半宽为0.36 nm,15～45℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072 nm/℃,室温单管芯最大连续输出功率达到2.8 W,阈值电流为0.49 A,斜率效率为1.05 W/A.测试结果表明808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李占国	长春理工大学理学院	59	247	8.0	13.0
2	王勇	长春理工大学理学院	26	43	4.0	5.0
3	尤明慧	吉林农业大学信息技术学院	4	5	2.0	2.0
4	王岳	长春理工大学理学院	2	3	1.0	1.0