高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制

• 作者: 慎小宝 李豫东 玛丽娅·黑尼 艾尔肯·阿不都瓦衣提 莫敏·赛来 许焱 赵晓凡 郭旗 陆书龙 雷琪琪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs单结太阳电池 高注量电子 位移损伤 载流子寿命 载流子去除效应
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1115-1122
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2+3|O475
• 字数: 4343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194009.1115

摘要

为研究键合四结太阳电池中In0.53 Ga0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In0.53 Ga0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论.结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压Voc、短路电流Isc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×1016 e/cm2时,电池光电转化效率为零,电池失效.光谱响应方面,注量小于4×1016 e/cm2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×1016 e/cm2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同.辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因.