HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiOx∶H)钝化n-Cz-Si研究

• 作者: 何玉平 刘宁 刘宇 袁贤 黄海宾
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-SiOx∶H 热丝化学气相沉积 少子寿命 SiH键 SiH2键
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 519-523
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.06.13

摘要

HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片.本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx∶H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx∶H的工艺参数并分析微观机理.结果 表明:①随热丝电流增加,沉积a-SiOx∶H膜的样品少子寿命先增加后减小,22.5 A时钝化效果最好,少子寿命高达2530μs,表面复合速率降至3.6 cm/s;②本实验结果中,a-SiOx∶H钝化效果明显优于a-Si∶H,少子寿命最高分别为2530和547μs;③a-SiOx∶H薄膜中SiH、SiH2相对含量与薄膜钝化性能无直接关联.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何玉平	南昌工程学院理学院	25	55	4.0	6.0
3	黄海宾	南昌大学光伏研究院	15	40	4.0	6.0
4	刘宇	南昌工程学院理学院	6	2	1.0	1.0
7	袁贤	南昌工程学院理学院	4	1	1.0	1.0
8	刘宁	南昌工程学院理学院	6	1	1.0	1.0